特許
J-GLOBAL ID：200903020886895859
多層高周波回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-184502
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022409
出願日： 1998年06月30日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 多層高周波回路基板と高周波回路素子の接続手段、および高周波回路素子に対する気密構造の構成が容易で、小形化、高密度化、および低価格化の図れる多層高周波回路を得る。【解決手段】 第1の共平面形線路導体パターン4a、積層された誘電体基板2,2を有する共平面形線路40a、および第1の接続部3a,5aを有する多層高周波回路基板60と、半導体基板10、半導体基板10に積層された誘電体層9、半導体基板10と誘電体層9の間に挟まれた第2の共平面形線路導体パターン4b並びに半導体素子11、および第2の接続部3b、5bを有し、多層高周波回路基板60に載置された高周波回路素子70と、多層高周波回路基板60と上記高周波回路素子70との間に設けられ、両者を電気的に接続し、また隙間が形成される状態に接続する接続手段6とを備えている。
請求項（抜粋）：
第1の共平面形線路導体パターン、該第1の共平面形線路導体パターンを挟むように積層された2枚の誘電体基板を有する共平面形線路、および該第1の共平面形線路導体パターンから延出された第1の接続部を有する多層高周波回路基板と、半導体基板、該半導体基板に積層された誘電体層、該半導体基板と誘電体層の間に挟まれて設けられた第2の共平面形線路導体パターン並びに半導体素子、および該第2の共平面形線路導体パターンから延出された第2の接続部を有し、上記多層高周波回路基板に載置された高周波回路素子と、上記多層高周波回路基板と上記高周波回路素子との間に設けられ、上記第1の接続部と第2の接続部とを電気的に接続するとともに、上記多層高周波回路基板と上記高周波回路素子とを両者の間に隙間が形成される状態に接続する接続手段とを備えたことを特徴とする多層高周波回路装置。
IPC (3件)：
H01P 5/08
, H01L 23/12
, H01P 3/08
H01P 5/08 M
, H01P 3/08
, H01L 23/12 L
5J014CA32
, 5J014CA41
, 5J014CA55
