特許
J-GLOBAL ID：200903004739524238

半導体モジュール

発明者：
志津木 康

志津木 康 について

, 
昆野 舜夫

昆野 舜夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-053947
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308478
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 超高周波帯域で安定に動作する、フリップチップ実装法を用いたMMICチップを有する半導体装置を提供する。【解決手段】 MMICチップと、前記MMICチップが実装される実装基板とを有し、前記実装の方法が複数バンプを用いたフリップチップ実装方法である半導体装置において、前記MMICチップが、絶縁層を介して信号線とGND線とが対向しあうマイクロストリップ構造もしくは逆薄膜マイクロストリップ構造を有するものであり、前記実装基板が基板裏面に面状のGND電極を有するものであり、前記GND線、前記複数のバンプ、および前記第3導電体膜を有する連続した導電体で囲まれた疑似的空胴体が生じる共振周波数frが、前記MMICチップにおける最高使用周波数fumaxより高いことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成された第1導電体膜からなるGND線と第2導電体膜からなる信号線とを備えた伝送線路とを有するMMICチップと、前記GND線と電気的に接続され、前記MMICチップ表面上に該チップ外縁に沿って形成された複数の第1バンプと、前記MMICチップが前記第1バンプを介してフリップチップ実装される実装基板と、前記実装基板裏面に形成された第3導電体膜からなるGND電極と、前記第1バンプと前記GND電極とを電気的に接続するため該実装基板に形成されたスルーホールとを有する半導体モジュールであり、前記GND線、前記複数の第1バンプ、前記スルーホール、および前記GND電極を有する連続した導電体で構成される疑似的空胴体により生じる共振周波数frが、前記MMICチップでの最高使用周波数fumaxより高いことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (3件)：
H01L 23/12 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H03F 3/60
FI (3件)：
H01L 23/12 301 C ,  H01L 21/60 311 S ,  H03F 3/60
引用特許：
審査官引用 (19件)
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