特許
J-GLOBAL ID：200903020889675191

トレンチの形成方法

発明者：
福田 誠一

福田 誠一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236217
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064020
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 寸法変換差が抑制されたトレンチを形成して、設計寸法に基づいて精密に加工された半導体装置を製造することができる様にする。【解決手段】 Si基板21上にSiO2 膜22を介してSi3 N4 膜23、多結晶Si膜24及びフォトレジスト25を形成し、形成すべきトレンチ27のパターンの開口26を形成する。開口26の形成によってこの開口26の側壁にポリマーが付着するので、このポリマーを除去してから、フォトレジスト25等をマスクしたエッチングでトレンチ27を形成する。このため、ポリマーがトレンチ27を形成するためのエッチング時にマスクにならない。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にマスク層を形成する工程と、形成すべきトレンチのパターンの開口を前記マスク層に形成する工程と、前記開口の形成によってこの開口の側壁に付着したポリマーを除去する工程と、前記ポリマーを除去した前記マスク層をマスクにして前記半導体基板をエッチングして前記トレンチを形成する工程とを具備することを特徴とするトレンチの形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (3件)：
H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 625 Z
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-116830   出願人：富士通株式会社
  • 特開平3-262122
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-227398   出願人：ソニー株式会社
全件表示
審査官引用 (7件)
  • 特開平3-262122
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-116830   出願人：富士通株式会社
  • 特開平3-262122
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM