特許
J-GLOBAL ID：200903020961422473
ビーム放射型半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-336367
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119983
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：
【課題】 ビーム放射型半導体素子において、コンタクト抵抗が低くて構成素子内で生成されたビームのための良好な反射性も備えている素子を提供すること。【解決手段】 電気的なコンタクト形成のために、構造化されたコンタクト層が半導体表面に被着され、前記コンタクト層に亘って分散配置された複数の介在空間が、表面上で当該コンタクト層によって覆われない自由面の形成のために設けられ、前記自由面はミラー部で覆われるように構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
活性領域(2)を有する半導体(1)を備えたビーム放射型半導体素子において、
電気的なコンタクトのために、構造化されたコンタクト層(3)が半導体表面に被着されており、
前記コンタクト層(3)に亘って分散配置された複数の介在空間(4)が、表面上で当該コンタクト層(3)によって覆われない自由面(5)の形成のために設けられており、
前記自由面(5)はミラー部(6)で覆われるように構成されていることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L33/00
, H01S5/028
, H01S5/042
H01L33/00 E
, H01L33/00 A
, H01S5/028
, H01S5/042 612
5F041AA14
, 5F041AA21
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA83
, 5F041CA98
, 5F041CB15
, 5F073AA65
, 5F073CA02
, 5F073CA07
, 5F073CB22
, 5F073DA35
, 5F073EA29
出願人引用 (3件)
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ドイツ連邦共和国特許出願 DE 100 26 254 A1 明細書
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発光半導体デバイス用高反射性接点及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-340910
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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特開昭50-150390
審査官引用 (2件)
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