特許

J-GLOBAL ID：200903020990871872

めっき浴から堆積される金属層の特性改善方法

発明者： シウェルト・ハー・ブロンヘルスマ ,  エマニュエル・リシャール ,  イワン・フェルフォールト ,  カレン・メーフ
出願人/特許権者： アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187840
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118848
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】めっき液から堆積される金属層の特性を改善する。【解決手段】絶縁層において少くなくとも1つの穴を有する基板上に、金属めっき浴からCuやCoなどの金属含有膜を堆積させる際に、穴が実質的に埋め込まれるまで金属含有層を堆積させるステップと、堆積された金属含有層に、加熱ステップおよび/または真空ステップを実行するステップと、堆積された金属含有層上に、金属めっき浴から金属含有層を堆積させるステップからなり、加熱ステップおよび/または真空ステップを実行することにより、金属堆積膜に含まれた不純物や、表面に付着こた不純物を取り除く。

請求項（抜粋）：

絶縁層において少なくとも1つの穴を有する基板上に、金属めっき浴から金属含有膜を堆積させる方法であって、少なくとも1つの穴が前記の金属含有層で実質的に埋め込まれるまで、前記の基板上に、前記の金属めっき浴から金属含有層を堆積させるステップと、前記の堆積された金属含有層に、加熱ステップおよび/または真空ステップを実行するステップと、前記の堆積された金属含有層上に、前記のめっき浴から金属含有層を堆積させるステップとから成る方法。

IPC (9件)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/16 ,  C23C 18/31 ,  C23C 18/32 ,  C23C 18/38 ,  C25D 5/48 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288

FI (10件)：

C23C 18/16 B ,  C23C 18/31 Z ,  C23C 18/32 ,  C23C 18/38 ,  C25D 5/48 ,  C25D 5/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/288 E ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法およびそれに用いるめっき処理装置、スパッタ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-245683   出願人：日本電気株式会社
• 同軸型共振器の電極形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-093977   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭63-149392