特許

J-GLOBAL ID：200903020995864734

半導体基板用研磨組成物及びこれを用いた半導体基板製造方法

発明者： 加藤 宏樹 ,  中野 裕之 ,  白井 勝之 ,  寺本 匡志 ,  松本 直樹 ,  竹本 菊郎 ,  三浦 祥紀
出願人/特許権者： ロデール・ニッタ株式会社 ,  住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-100373
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311575
出願日： 2003年04月03日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】窒化ガリウム系半導体基板のように比較的硬質で研磨の困難性の高い被研磨物の研磨作業を安価かつ簡易に行うことができるようにする研磨組成物の提供や、この研磨組成物を用いて窒化ガリウム系半導体を主に研磨できるようにする。【解決手段】例えばコロイダルシリカなどの軟質砥粒と例えばダイヤモンドまたはアルファアルミナなどの硬質砥粒とが分散媒としての純水に分散されるとともに、研磨促進剤および殺菌剤が含まれている研磨組成物6である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

軟質砥粒と硬質砥粒とが分散媒としての水に分散されている、ことを特徴とする半導体基板用研磨組成物。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (5件)：

H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550F ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ウエハ材の研磨方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-527237   出願人：エスオーイテクシリコンオンインシュレータテクノロジース