特許

J-GLOBAL ID：200903021003567101

膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法

発明者： 平井 利充
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-112065
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302766
出願日： 2004年04月06日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】 所望位置に所望状態で液滴を配置できる膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の膜パターンの形成方法は、基板上に膜パターンに応じたバンクを形成する工程S1と、バンク間の溝に、機能液に対して受容性を有する受容膜を設ける工程S5と、受容膜上に機能液を配置する工程S6とを有することを特徴とする。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

機能液を基板上に配置することにより膜パターンを形成する方法であって、 前記基板上に所定のパターンを有するバンクを形成する工程と、 前記バンク間の溝に、多孔体からなる受容膜を設ける工程と、 前記受容膜上に前記機能液を配置する工程とを有することを特徴とする膜パターンの形成方法。

IPC (13件)：

H01L21/288 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

FI (14件)：

H01L21/288 Z ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 342Z ,  G09F9/30 338 ,  H01L21/28 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L21/88 B

Fターム (96件)：

2H092JA24 ,  2H092MA10 ,  2H092MA35 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  2H092PA08 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD21 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD80 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA31 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5F033GG03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033VV15 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE05 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE47 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HK41 ,  5F110HL07 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ09 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435CC12 ,  5G435HH12 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第5132248号明細書
  
• 製膜方法及びデバイス及び電子機器並びにデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-119445   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜パターニング用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076979   出願人：セイコーエプソン株式会社

審査官引用 (2件)

• 製膜方法及びデバイス及び電子機器並びにデバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-119445   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜パターニング用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076979   出願人：セイコーエプソン株式会社