特許
J-GLOBAL ID：200903021025514605
光電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-280832
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095125
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 光電変換素子の開放電圧を向上し、変換効率を向上する。【構成】 第一領域10の受光面11に、第一領域10と相まって光電圧発生機構を構成する第二領域20を設ける。第二領域20の平面図形の短辺方向寸法は第一領域10の少数キャリア拡散長の二倍以下とする。第二領域20の設けられている受光面11上にバリア層30を設ける。第二領域20に電気的に接続し、バリア層に接した透明導電膜40を設ける。光発生した第二領域20の電圧を、透明導電膜40を介し、バリア層30の下の受光面11にバイアス電圧として印加し、該受光面11に多数キャリアを誘起する方向の電界を与えて、当該受光面11における電気的な安定化を図る。
請求項（抜粋）：
第一の導電型を持つ半導体であって、表裏両主面の中、一方が受光面となっている第一領域と;該第一領域の上記受光面側に設けられ、該第一領域と相まって光電圧発生機構を構成すると共に、その平面図形の短辺方向寸法が該第一領域の少数キャリア拡散長の二倍以下である第二領域と;上記第一領域の上記受光面の中、少なくとも上記第二領域が設けられていない面積部分を覆うバリア層と;光入射により上記第二領域に生ずる電圧に基づき、上記バリア層の下の上記受光面に上記第一領域を構成する上記半導体にとっての多数キャリアを誘起する方向のバイアス電圧を与えるため、該第二領域に電気的に接続すると共に上記バリア層にも接した透明導電膜と;を有して成る光電変換素子。
引用特許：
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