研究者
J-GLOBAL ID:200901068915827898
更新日: 2020年06月05日
高遠 秀尚
タカトウ ヒデタカ | Takato Hidetaka
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所属機関・部署:
独立行政法人産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター 結晶シリコンチーム
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ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H95658360
競争的資金等の研究課題 (1件):
1.半導体デバイス 2.太陽電池
MISC (4件):
Very Low Temperature Emitter Growth n+p Solar Cells on 2μm c-Si film/Al2O3 substrates. PROCEEDINGS OF 3RD WORLD CONFERENCE ON PHOTOVOLTAIC EVERGY CONVERSION. 2004. 1245-1248
H Takato, Sakata, I, R Shimokawa. Quinhydrone/methanol treatment for the measurement of carrier lifetime in silicon substrates. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS. 2002. 41. 8A. L870-L872
H Takato, R Shimokawa. Thin-film silicon solar cells using an adhesive bonding technique. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2001. 48. 9. 2090-2094
Surface Passivation Effect of Silicon Substrates due to Quinhydrone/Ethanol treatment. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS. 2001. 40. 10A. L1003-1004
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