特許

J-GLOBAL ID：200903021028069688

半導体装置及びその製造方法

発明者： 山田 達也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-061520
公開番号（公開出願番号）：特開2008-227049
出願日： 2007年03月12日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：

【課題】プログラムが容易で、必要なスペースが少なく、かつ製造工程を簡略化できるアンチヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】アンチヒューズ素子は、第1の端子部22aと、第2の端子部22bと、第1の端子部22aと第2の端子部22bとの間に設けられたヒューズ本体部23とを備えている。第1の端子部22aに接続された部分と第2の端子部22bに接続された部分とで構成される。ヒューズ本体部23は、第1の端子部22aに接続された部分と、第2の端子部22bに接続された部分と、両部分の間に配置され、第1の端子部22aと第2の端子部とを実質的に絶縁状態にするアンチヒューズ接続部24とで構成されている。アンチヒューズ24は、第1の端子部22aと第2の端子部22bとの間に電圧を印加することにより不可逆的に導通させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の上または上方に設けられたポリシリコン膜と、前記ポリシリコン膜上に設けられた金属シリサイド層とを有するアンチヒューズ素子を有する半導体装置であって、 前記アンチヒューズ素子は、 共に前記ポリシリコン膜と前記シリサイド層とを有する第1の端子部および第2の端子部と、 前記第1の端子部と前記第2の端子部との間に設けられ、前記第1の端子部と前記第2の端子部とを絶縁するアンチヒューズ接続部が一部に形成され、前記ポリシリコン膜と前記シリサイド層とを有するヒューズ本体部とを有し、 前記金属シリサイド層は、前記アンチヒューズ接続部を挟むように間隔を空けて配置されている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/112

FI (3件)：

H01L21/82 F ,  H01L27/04 M ,  H01L27/10 433

Fターム (23件)：

5F038AV15 ,  5F038CD19 ,  5F038DF05 ,  5F038DF16 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA08 ,  5F064BB15 ,  5F064BB37 ,  5F064CC10 ,  5F064FF04 ,  5F064FF05 ,  5F064FF28 ,  5F064FF29 ,  5F064FF34 ,  5F064FF46 ,  5F083CR03 ,  5F083CR12 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083NA01 ,  5F083PR05 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-226409   出願人：セイコーインスツル株式会社