特許

J-GLOBAL ID：200903021032694260

半導体圧力センサの製造方法

発明者： 石上 敦史 ,  堀 正美 ,  西條 隆司 ,  山口周一郎 ,  片岡 万士
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344779
公開番号（公開出願番号）：特開平10-185720
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月14日
要約：

【要約】【課題】 空隙なく密度の高い状態で形成された保護膜でもって、ダイアフラム部の受圧面を保護できる半導体圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】 圧力による抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗15がシリコン基板1の一面11側へ形成されるピエゾ抵抗形成工程と、シリコン基板1に形成された耐エッチング膜16を他面12側におけるピエゾ抵抗15の対応位置にて除去し、異方性エッチングし断面台形状の凹部17を形成して、測定対象である流体の圧力を受圧する受圧面21を有したダイアフラム部2を形成するダイアフラム部形成工程と、所定温度で熱処理して、受圧面21を保護する保護膜18がその受圧面21及びシリコン基板1の他面12に形成される保護膜形成工程と、金属からなりピエゾ抵抗15と電気的に接続した金属配線部3がシリコン基板1の一面11側へ形成される金属配線部形成工程と、有する構成にしてある。

請求項（抜粋）：

圧力による抵抗変化を電気信号に変換するピエゾ抵抗がシリコン基板の一面側へ形成されるピエゾ抵抗形成工程と、シリコン基板の両面に形成された耐エッチング膜を他面側におけるピエゾ抵抗対応位置にて除去し、異方性エッチングし断面台形状の凹部を形成して、測定対象である流体の圧力を受圧する受圧面を有したダイアフラム部を形成するダイアフラム部形成工程と、耐エッチング膜を除去し、所定温度で熱処理してダイアフラム部の受圧面を保護する保護膜が、その受圧面及びシリコン基板の他面に形成される保護膜形成工程と、金属からなりピエゾ抵抗と電気的に接続した金属配線部がシリコン基板の一面側へ形成される金属配線部形成工程と、有することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。

IPC (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84

FI (2件)：

G01L 9/04 101 ,  H01L 29/84 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭57-069781
  
• 圧力センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-002455   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭61-187280