特許
J-GLOBAL ID：200903021032839501
炭素を堆積させる方法と装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-513989
公開番号（公開出願番号）：特表2001-518560
出願日： 1998年08月12日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：
【要約】炭素ベースの誘電体膜を、最初にプロセスガスを処理チャンバに流入させることによって、処理チャンバ内の基板上に堆積させる。プロセスガスは炭素の気体ソース(メタン(CH4 )など)とハロゲンの気体ソース(フッ素のソース、例えばC4 F8 など)を含む。次にプラズマが、第1及び第2RFパワー成分を加えることによって、そのプロセスガスから形成される。第2RF成分は約200kHz〜2MHzの周波数と、約5W〜75Wのパワーレベルを持つことが望ましい。第1及び第2RFパワー成分をある期間加えて、ハロゲンドープト炭素ベース層を堆積させる。結果としての炭素ベース膜は低い誘電率と良好な隙間充填性を持つ。膜はまた、その後の処理の間、最小の収縮を示し、その後でアニールしてもよい。
請求項（抜粋）：
処理チャンバ内で基板上に堆積させる誘電体膜の特性を制御する方法であって、 炭素の第1気体ソースとハロゲンの気体ソースとを含む第1プロセスガスを処理チャンバへ流入させるステップ、 第2周波数よりも高い第1周波数を有する第1RF成分と第2周波数を有する第2RF成分とを用いて前記第1プロセスガスを励起して前記第1プロセスガスからプラズマを形成するステップ、及び 前記励起を第1期間、維持してハロゲンドープト炭素ベース層を堆積させるステップ、を有する方法。
IPC (2件)：
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 Z
4G046CA01
, 4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4G046CC09
, 4K030AA02
, 4K030AA04
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA20
, 4K030BA24
, 4K030BA27
, 4K030BB05
, 4K030CA04
, 4K030FA03
, 4K030FA10
, 4K030JA00
, 4K030JA01
, 4K030JA18
, 4K030KA41
, 4K030LA01
, 4K030LA15
