特許
J-GLOBAL ID：200903021055493734
多数の層を有する支持体を熱処理する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-522985
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501409
出願日： 2002年07月26日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：
多層の基板の中の1つの層の側方に進行する酸化の場合に、一定の点での側方への酸化の進行を停止させることを可能にするために、本発明によれば、多数の層を有する基板、殊に半導体ウェーハを熱処理する方法が設けられており、この場合には、基板の上方および下方から被覆された層は、が側方縁部から中心に向かって、定義された中心範囲が酸化されることがないように酸化される。この方法は、本発明によれば、次の処理工程:基板を処理室中で所定の処理温度に加熱する工程;水素に富んだ水蒸気を所定の時間の間、処理室中に導入する工程;乾燥された酸素または酸素に富んだ水蒸気を所定の時間の経過後に処理室中に導入する工程を含み;この場合処理室中への水素に富んだ水蒸気の導入は、基板の加熱前、加熱中および/または加熱後に行なうことができる。
請求項（抜粋）：
上方および下方から被覆された、基板の層を側方縁部から中心に向かって、定義された中心範囲が酸化されないように酸化することにより、多数の層を有する基板、殊に半導体ウェーハを熱処理する方法において、次の処理工程:
a)基板を処理室中で所定の処理温度に加熱する工程;
b)水素に富んだ水蒸気を所定の時間の間、処理室中に導入する工程;
c)乾燥された酸素、即ち純粋な酸素(原子状および/または分子状O2および/またはO3の形)、酸素および基板の層と化学的に反応しない不活性ガスからなる混合物、または水を含有しない酸素含有化合物、または酸素に富んだ水蒸気を所定の時間の経過後に処理室中に導入する工程が設けられており、
この場合工程b)は、所定の処理温度への基板の加熱前、加熱中および/または加熱後に行なうことができることを特徴とする、多数層を有する支持体を熱処理する方法。
IPC (3件)：
H01S5/183
, H01L21/316
, H01S5/343
H01S5/183
, H01L21/316 S
, H01S5/343
5F058BA06
, 5F058BB01
, 5F058BC02
, 5F058BF54
, 5F058BF55
, 5F058BF62
, 5F058BF63
, 5F058BF80
, 5F058BJ07
, 5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC42
, 5F173AC52
, 5F173AH02
, 5F173AQ13
