特許
J-GLOBAL ID：200903075897380337
面発光半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225959
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125999
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 抵抗の低いミラーを用いながら低いしきい値電流での動作を可能とし、しかも高い光出力を達成する面発光半導体レーザとその製造方法を提供する。【解決手段】 面発光半導体レーザ100の上部ミラー140は、24.5対のn型AlAs層(第1層)とn型GaAs層(第2層)を、n型中間層を間に挟みながら積層した構造を有しており、分布反射器(DBR)として機能する。上部ミラー140はメサ150に加工されている。メサ150は2段のメサ部分おらなり、上部メサ部分に含まれるp型AlAs層の周辺部は酸化されていないが、下部メサ部分に含まれるp型AlAs層の周辺部は選択的に酸化されている。そのため、下部メサ部分に含まれる各p型AlAs層は、周辺の選択酸化領域141と、選択酸化領域141に囲まれたコア状の半導体領域に分かれている。駆動電流は、絶縁性の選択酸化領域141によって狭窄される結果、コア半導体領域内を縦方向に流れる。
請求項（抜粋）：
発光層を含む活性領域と、前記活性領域を挟む二つのミラーとを具備する面発光半導体レーザであって、前記二つのミラーの少なくとも一方は、アルミニウムを含む複数の第1層、および複数の第2層を含む分布ブラッグリフレクタ(DBR)構造を有しており、前記DBR構造に含まれる前記複数の第1層のうち一部の選択された層のみが、アルミニウムを含む選択酸化領域と、前記選択酸化領域に囲まれたコア半導体領域とを有している面発光半導体レーザ。
引用特許：
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