特許
J-GLOBAL ID：200903021084748768
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-238408
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087262
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】薬液を確定した安価なウェット法によりチタンタングステンの加工を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板上に生成されたPN接合と、上記半導体基板の表面に形成され、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導体基板及び絶縁膜上に成膜されたチタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニウムによる二層のメタルを選択的にパターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステンの加工薬液として、加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板に生成されたPN接合と、上記半導体基板の表面に積層され、その一部が部分的に除去された絶縁膜と、上記半導体基板及び上記絶縁膜上に成膜されたチタンタングステンと、上記チタンタングステン上に積層されたアルミニウムと、を具備し、上記チタンタングステン及びアルミニウムによる二層を選択的にパターン形成し、上記アルミニウムをエッチングし、上記チタンタングステンの加工薬液として加熱した過酸化水素水を用いて加工することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28
, H01L 21/3213
H01L 21/28 F
, H01L 21/88 C
