特許
J-GLOBAL ID：200903021085298340

SiN系絶縁膜の成膜方法

発明者：
佐藤 淳一

佐藤 淳一 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-193075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055851
出願日： 1994年08月17日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：
【要約】【構成】 原料ガスとしてSi-N結合を有する有機Si化合物を用い、ウェハ23に対して超音波を印加しながら、プラズマCVDによって、該ウェハ23上にSiN系絶縁膜を成膜する。超音波を印加するには、平行平板型プラズマCVD装置において、ウェハ23を載置する下部電極24内に、超音波発振器29に接続された超音波振動子28を埋設しておき、成膜時に、超音波発振器29により超音波振動子28を振動させる。【効果】 絶縁耐性、耐水性といった膜質に優れた絶縁膜を非常に優れたカバレージにて成膜できる。このため、微細なデザインルールに基づく半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させることが可能となる。また、スループットを低下させることもなく、経済性にも優れている。
請求項（抜粋）：
化学的気相成長法によって基板上にSiN系絶縁膜を成膜するに際し、原料ガスとしてSi-N結合を有する有機Si化合物を用い、前記基板には超音波を印加することを特徴とするSiN系絶縁膜の成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/318 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
  • 特開昭64-014927
  • 特開平1-298169

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