金属-絶縁体-金属キャパシタ及びダマシン配線構造を有する半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224925
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142593
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】金属-絶縁体-金属キャパシタ及びダマシン配線構造を有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板90上の下部絶縁膜100内に第1金属配線115及び第2金属配線120を形成し、第2金属配線120の上面を露出させるホール領域を有する第1絶縁膜125及び第2絶縁膜130を順次形成する。ホール領域の内壁及び底面に誘電膜135を形成して第2絶縁膜120の上面と段差無しにホール領域を完全に埋め込むキャパシタ上部電極140aを形成する。上部電極140a上に第3絶縁膜143及び第4絶縁膜145を形成し、第4、第3、第2及び第1絶縁膜を貫通して第1金属配線115の上面に接触するダマシン配線構造と、第4及び第3絶縁膜を貫通して上部電極140aの上面に接触するコンタクトプラグとを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の下部絶縁膜内に第1金属配線及び第2金属配線を形成する段階と、前記第1金属配線及び第2金属配線が形成された前記半導体基板上に前記第2金属配線の上面を露出させるホール領域を有する第1絶縁膜及び第2絶縁膜を順次に形成する段階と、前記ホール領域の内壁及び底面に誘電膜を形成して前記第2絶縁膜の上面と段差無しに前記ホール領域を完全に埋め込むキャパシタ上部電極を形成する段階と、前記上部電極が形成された前記半導体基板上に第3絶縁膜及び第4絶縁膜を順次に形成する段階と、前記第4、第3、第2及び第1絶縁膜を貫通して前記第1金属配線の上面に接触するダマシン配線構造と、前記第4及び第3絶縁膜を貫通して前記上部電極の上面に接触するコンタクトプラグとを形成する段階と、を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/822 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/04 C , H01L 21/88 S , H01L 21/90 A

Fターム (64件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH27 , 5F033HH28 , 5F033HH30 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ27 , 5F033JJ28 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK11 , 5F033KK21 , 5F033KK27 , 5F033KK28 , 5F033KK30 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033SS02 , 5F033SS03 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033VV10 , 5F033XX00 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX05 , 5F033XX10 , 5F033XX21 , 5F033XX27 , 5F033XX28 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038EZ11 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-149444 出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-149444 出願人：三菱電機株式会社

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