半導体不揮発性メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柿本恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-201018
公開番号（公開出願番号）：特開平6-044789
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】ページ書込み動作時おける寄生フィールドトランジスタの悪影響を実質的に無効とし、さらにメモリセルの縮小化を図る。【構成】データ入力サイクルと不揮発性記憶サイクルより構成されるページ書込みモードにおいて、データ入力サイクルでは、入出力端子45より入力されたデータが、入力バッファ46及びスイッチ手段471 〜47i を介して、一時記憶手段48i に順次入力される。次の不揮発性記憶サイクルでは、ページセレクタ60により制御される2つのスイッチ手段群501 ,503 ,...,50i-1 と502 ,504 ,...,50i のうち、いずれか一方のページ(ビット線群)が選択されて一時記憶手段48i とビット線BLiが接続され、該一時記憶手段48i に記憶されたデータがメモリセル31iiに書込まれる。そのため、隣接ビット線間に存在する寄生フィールドトランジスタによる高電圧のリークを、実使用上無くすことができる。

請求項（抜粋）：

複数のワード線及び複数のビット線の各交点にそれぞれ接続された電気的に書換え可能な不揮発性のメモリセルがマトリクス状に配列されたメモリセルマトリクスと、前記ビット線を介して前記メモリセルへ書込むためのデータをデータ入力サイクル時に一時記憶する複数の一時記憶手段と、前記データ入力サイクルに続く不揮発性記憶サイクルにおいてアドレスに従い前記1つのワード線と前記複数のビット線を選択し、それらの交点に接続された複数のメモリセルに対して前記一時記憶手段に記憶されたデータを同時に書込むページ書込み手段とを、備えた半導体不揮発性メモリにおいて、前記各ビット線毎に接続され該ビット線と前記一時記憶手段との間を接続/遮断する複数のスイッチ手段と、前記不揮発性記憶サイクル中に同時に選択される複数のビット線毎に接続された前記スイッチ手段を少なくとも1つおきに接続状態に切換え制御するページセレクタとを、設けたことを特徴とする半導体不揮発性メモリ。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-038700
特開平2-002668
特開昭63-086198

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