特許
J-GLOBAL ID：200903056402644371
不揮発性半導体メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329281
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255496
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【課題】 ビット線ピッチを狭めていっそうの高密度集積化が可能で、更に高速の読出及びプログラム動作の可能な不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 ページ動作するようにした消去可能でプログラム可能な不揮発性半導体メモリについて、メモリセルアレイ12を挟んで両側にページバッファ18,20を設ける。そして、ページバッファ18に接続するビット線とページバッファ20に接続するビット線とを交互に、或いは1対ずつ交互に配列する。これにより、ページバッファ内の各ビット線に対応接続されるラッチ及び感知回路の形成面積に余裕をもたせられる。また、プログラムでは書込エネーブル信号の周期ごとに交互にページバッファ18,20へデータを入力するようにし、そして、読出では読出エネーブル信号の周期ごとに交互にページバッファ18,20からデータを出力するようにできる。
請求項（抜粋）：
行と列のマトリックス形態で配列されたフローティングゲート形の多数のメモリセルと、同じ行に配列されたメモリセルと接続する多数のワード線と、同じ列に配列されたメモリセルと接続し相互に平行な多数のビット線と、をもつ不揮発性半導体メモリにおいて、ビット線を挟んで両側に第1、第2のページバッファを設け、該第1のページバッファに接続するビット線と該第2のページバッファに接続するビット線を交互に配列したことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 F
, G11C 17/00 520 A
