ダイオード及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-120105
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316500
出願日： 1995年05月18日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】サージ電圧の発生が小さく、損失が少ないダイオードを提供することを目的とするものである。【構成】半導体層の不純物濃度を所定濃度に構成し、逆回復動作時に半導体層中を空乏層が延びる速度を徐々に遅くし、逆回復電流の変化率を小さくし、また、順方向動作時に半導体層に蓄積される過剰キャリアを少なくし、逆回復電荷を低減するもの。【効果】サージ電圧の発生が小さく、損失が少なく、また、様々な順電流密度、更には逆電圧変動等の動作条件にも対応し得る極めて優れたダイオードを提供できる効果がある。

請求項（抜粋）：

第1の主面から該第1の主面と相対向する第2の主面に向かって不純物濃度が高くなる不純物濃度勾配を有する第1導電型の第1の半導体層、この第1の半導体層の第2の主面に第1の主面が隣接配置されると共に、その第1の主面から該第1の主面と相対向する第2の主面に向かって不純物濃度が高くなる不純物濃度勾配を有する第1導電型の第2の半導体層、この第2の半導体層の第2の主面に第1の主面が隣接配置されると共に、前記第2の半導体層の第2の主面の不純物濃度以上の不純物濃度を有する第1導電型の第3の半導体層、前記第1の半導体層の第1の主面に隣接配置される第2導電型の第4の半導体層、この第4の半導体層に隣接配置される第1の主電極、及び前記第3の半導体層の第1の主面と相対向する第2の主面に隣接配置される第2の主電極を備え、前記第1の半導体層の第2の主面の不純物濃度と前記第2の半導体層の第1の主面の不純物濃度を等しくすると共に、前記第1の半導体層の不純物濃度勾配を前記第2の半導体層の不純物濃度勾配以上としたことを特徴とするダイオード。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 21/329

FI (3件)：

H01L 29/91 C , H01L 29/91 A , H01L 29/91 J

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭58-115871
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-185645 出願人：株式会社三社電機製作所
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-335386 出願人：三菱電機株式会社

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