特許
J-GLOBAL ID：200903021123726890

半導体単結晶引き上げ装置用炭素部材

発明者：
カメヤー ジェームス

カメヤー ジェームス について


出願人/特許権者：
東洋炭素株式会社

東洋炭素株式会社 について


代理人 (1件)： 梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-034367
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290094
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：
【要約】【課題】 シリコン単結晶引き上げ装置において、SiOガスによる腐食消耗やSiC化によるクラック等の欠陥の発生を抑制した長寿命なCZ用半導体単結晶引き上げ装置用炭素部材を提供する。【解決手段】 CZ装置のホットゾーンを構成する炭素部材の、石英ルツボより発生するSiOガスが、高濃度になる部位に、高純度Si粉末と炭素含有液体のペースト状の混合液体を炭素基材に塗布し、窒素を含む還元雰囲気で熱処理することにより、ガラス状炭素、若しくは、更に、場合によっては、Si3 N4 を含む実質SiCからなる複合材に転化する。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法による半導体単結晶引き上げ装置を構成する炭素部材であって、炭素基材の表面の一部若しくは全部に、実質炭化ケイ素からなる複合材の皮膜が施され、かつ、該皮膜は炭素基材の表面の少なくとも一部の気孔を跨ぐか、気孔内面に沿って連続的に存在することを特徴とする半導体単結晶引き上げ装置用炭素部材。
IPC (2件)：
C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502
FI (2件)：
C30B 15/10 ,  C30B 29/06 502 B
Fターム (7件)：
4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EG01 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077PD01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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