半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130705
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313367
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】高耐圧高抵抗の抵抗素子を内蔵した半導体装置の提供。【解決手段】メインスイッチ(MS)トランジスタと、このMSトランジスタを起動させるスタータースイッチ(SS)及び起動抵抗(抵抗素子)SRからなる起動回路を有する駆動パワーICにおいて、フィールド絶縁膜上に起動抵抗を設ける。ICチップの周辺領域、即ち前記フィールド絶縁膜の下の半導体基板面にはアクティブ領域を多重に囲むフィールド・リミッティング・リング(FLR)が設けられている。抵抗素子はFLR群の内側の始端からFLR群の外側の終端に向かって蛇行しながら延在している。抵抗素子の始端と終端を直線的に結ぶ線分の抵抗素子各部のポテンシャルが、前記始端と終端を直線的に結ぶ線分に対応する前記半導体基板表面各部のポテンシャルに一致または近似するようになっている。最外周のFLR部分の内外で蛇行ピッチが異なっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の周辺領域の内側になるアクティブ領域に形成されるトランジスタと、前記周辺領域の前記半導体基板主面に設けられ前記アクティブ領域を多重に囲む複数のフィールド・リミッティング・リングと、前記半導体基板主面の前記周辺領域を被うフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜上に形成され前記フィールド・リミッティング・リング群の内側から外側に向かって延在し、フィールド・リミッティング・リング群の内側の始端が前記トランジスタの低電位となる電極に接続され、フィールド・リミッティング・リングの外側の終端が前記トランジスタの高電位となる電極に接続される抵抗素子と、前記抵抗素子を被う層間絶縁膜と、前記最外周のフィールド・リミッティング・リングに対応して前記層間絶縁膜上に形成され、前記最外周のフィールド・リミッティング・リングに電気的に接続されるフィールドプレートとを有する半導体装置であって、前記抵抗素子の始端と終端を直線的に結ぶ線分に置き換えた抵抗素子の抵抗値は、前記線分の一部の単位長さ当たりの抵抗値が他の部分の単位長さ当たりの抵抗値と異なっていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 , H01L 29/78 656 , H02M 3/28

FI (7件)：

H01L 29/78 652 P , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 656 C , H02M 3/28 X , H01L 27/04 P , H01L 27/04 F , H01L 27/04 H

Fターム (22件)：

5F038AR09 , 5F038AR10 , 5F038AR12 , 5F038AR23 , 5F038AV06 , 5F038BH02 , 5F038BH09 , 5F038BH15 , 5F038BH16 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5H730AA17 , 5H730BB43 , 5H730BB57 , 5H730CC01 , 5H730DD04 , 5H730EE02 , 5H730EE07 , 5H730FD24 , 5H730FD51 , 5H730FG05 , 5H730VV01

引用特許：

審査官引用 (5件)

高耐圧プレーナ型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-049005 出願人：株式会社日立製作所
抵抗体および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-086178 出願人：ローム株式会社
特開昭61-250935

全件表示

前のページに戻る