特許

J-GLOBAL ID：200903021157709049

樹脂封止型半導体装置

発明者： 西田 隆文 ,  小山 宏 ,  田中 英樹 ,  中嶋 寛 ,  江口 州志
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-308291
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097589
出願日： 1997年11月11日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 小型、薄型の樹脂封止型半導体装置において、半導体チップの外部電極であるアルミニウムの腐食を防止する。【解決手段】 半導体チップの外部電極がアルミニウムからなり、該外部電極とリードとを電気的に接続し、前記半導体チップ及びリード端子接続部を樹脂材で封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記封止樹脂材はエポキシ系樹脂組成物もしくはポリイミド系樹脂組成物からなる液状封止材にイオントラップ剤を添加したものからなる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの外部電極がアルミニウムからなり、該外部電極とリードとを電気的に接続し、前記半導体チップ及びリード端子接続部を樹脂材で封止した樹脂封止型半導体装置であって、前記封止樹脂材はエポキシ系樹脂組成物もしくはポリイミド系樹脂組成物からなる液状封止材にイオントラップ剤を添加したものからなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  C08L 79/08 ,  H01L 21/56

FI (5件)：

H01L 23/30 R ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  C08L 79/08 Z ,  H01L 21/56 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-299151
  
• 特開平4-132727
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-288015   出願人：ソニー株式会社