特許
J-GLOBAL ID：200903021163107824
磁気抵抗効果素子および磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
吉武 賢次
, 橘谷 英俊
, 佐藤 泰和
, 吉元 弘
, 川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-339934
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179183
出願日： 2002年11月22日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】消費電力が少なく熱的安定性に優れた磁気抵抗効果素子および磁気メモリを得ることを可能にする。【解決手段】トンネルバリア層4と、このトンネルバリア層を挟む一方の側に設けられる磁化固着層となる第1強磁性層5と、トンネルバリア層を挟む他方の側に設けられる第2強磁性層3a、第2強磁性層のトンネルバリア層とは反対側に形成され第2強磁性層よりも膜面の面積が広く外部磁場により磁化方向が反転可能な第3強磁性層3c、および第2強磁性層と第3強磁性層との間に設けられ第3強磁性層の磁化の反転を第2強磁性層に伝達する中間層3bを有する磁化自由層3と、を備え、第2強磁性層と第3強磁性層とは中間層を介して磁気的に結合している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
トンネルバリア層と、
このトンネルバリア層を挟む一方の側に設けられる磁化固着層となる第1強磁性層と、
前記トンネルバリア層を挟む他方の側に設けられる第2強磁性層、前記第2強磁性層の前記トンネルバリア層とは反対側に形成され前記第2強磁性層よりも膜面の面積が広く外部磁場により磁化方向が反転可能な第3強磁性層、および前記第2強磁性層と前記第3強磁性層との間に設けられ前記第3強磁性層の磁化の反転を前記第2強磁性層に伝達する中間層を有する磁化自由層と、
を備え、前記第2強磁性層と前記第3強磁性層とは前記中間層を介して磁気的に結合していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083GA05
, 5F083JA14
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
