磁気抵抗効果素子および磁気メモリデバイスならびにそれらの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-307686
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111887
出願日： 2002年09月13日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】より強力な磁界を効率よく利用し、安定した書込が可能な磁気メモリデバイスおよびそれに搭載される磁気抵抗効果素子を提供する。さらに、そのような磁気メモリデバイスを容易に製造するための方法を提供する。【解決手段】外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、この積層体の一方の面側に、積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えるようにしたので、複数の導線に電流を流すことによって閉じた磁路を形成することができ、感磁層における磁化の反転をより効率よく行うことができる。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

外部磁界によって磁化方向が変化する感磁層を含み、積層面に垂直な方向に電流が流れるように構成された積層体と、前記積層体の一方の面側に、前記積層面に沿った方向を軸方向とするように配設されると共に、複数の導線によって貫かれるように構成された環状磁性層とを備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L43/08 , G11C11/15 , H01L27/105

FI (4件)：

H01L43/08 Z , G11C11/15 110 , G11C11/15 120 , H01L27/10 447

Fターム (19件)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083GA28 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA06 , 5F083LA10 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083PR04 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083ZA09

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気メモリ装置および磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-090768 出願人：株式会社東芝
磁気メモリセルと磁気メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-087389 出願人：シャープ株式会社
磁気トンネル接合素子及びそれを用いた磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-045447 出願人：シャープ株式会社

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