特許
J-GLOBAL ID：200903021173857058

半導層および絶縁層を形成するために混合溶液を使ってボトムゲート型薄膜トランジスタを形成する改良された方法

発明者：
アナ シー アリアス

アナ シー アリアス について


出願人/特許権者：
パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド

パロ・アルト・リサーチ・センター・インコーポレーテッド について


代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-178743
公開番号（公開出願番号）：特開2006-013492
出願日： 2005年06月20日
公開日（公表日）： 2006年01月12日
要約：
【課題】電子デバイスにおいて、ポリマ層を形成し封じ込める。【解決手段】絶縁性ポリマ層によって保護された半導性ポリマ層を形成する改良された方法を説明する。この方法では、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマを形成する物質を溶媒中で溶解する。混合溶液を基板の上に堆積すると、半導性ポリマと絶縁性ポリマとが分離する。溶媒が気化すると、半導性物質はTFTのアクティグ領域を形成し、絶縁性ポリマは、半導性ポリマが空気に露出されることを最小限にする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ボトムゲート型薄膜トランジスタTFTを形成する方法であって、 第1の基板領域の上にソースを形成する工程と、 第2の基板領域の上にドレインを形成する工程と、 前記ソースと前記ドレインとの間に混合溶液を堆積させる工程と、を含み、 前記混合溶液は、堆積後に、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間にポリマ半電導性層が形成されるように、半導性ポリマを形成するように意図された材料と、絶縁体を形成するように意図された材料とを含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (4件)：
H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 612D ,  H01L29/28
Fターム (30件)：
5F058AA10 ,  5F058AB06 ,  5F058AC02 ,  5F058AC05 ,  5F058AC10 ,  5F058AD04 ,  5F058AD06 ,  5F058AD09 ,  5F058AF04 ,  5F058AF06 ,  5F058AH01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110CC03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ08
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM