特許
J-GLOBAL ID：200903021179122750
高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
入交 孝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142086
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332295
出願日： 2002年05月16日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】CMOSの高絶縁性ゲート絶縁層やDRAMの高絶縁性コンデンサの絶縁膜製造に有利で且つアクティブエリアのシリコンや隔離区のUSGに凹凸を形成する問題を解決するべく高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法を提供する。【解決手段】弗化水素酸と過塩素酸やその他の過ハロゲン族元素酸の混合液により、室温下で高絶縁性薄層に対してウェットエッチングを行い、該層のエッチング率が10Å/min以上になるようにし、同時に酸化シリコンやUSG,或いはポリシリコン等のエッチング率が皆10Å/min以下であり且つ選択比は各工程の必要に適した比率となるようにする。
請求項（抜粋）：
高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法において、少なくとも先ず二酸化シリコン層やポリシリコン上に堆積した高絶縁性薄層を具有するウェハーを用意し、次に弗化水素酸と過ハロゲン族元素酸の混合液でウェハー表面にて高絶縁性薄層のエッチングを行い、更にイオン化された水によってウェハーを洗浄した後乾燥させる、工程を含むことを特徴とする高絶縁性薄層の低温ウェットエッチング法。
Fターム (3件)：
5F043AA37
, 5F043BB25
, 5F043EE40
