除去方法および半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：速水進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027361
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229401
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に形成された3A族元素あるいは4A族元素を含む金属を高い洗浄度で除去する。【解決手段】濃厚HFによるウエット処理を行った後、フッ化水素酸および硝酸を含む水溶液によるウエット処理を行い、ついで再度、濃厚HFによるウエット処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板に付着した、3A族元素、3B族元素または4A族元素を含む汚染物質を除去する方法であって、酸またはアルカリを含む第一の除去液により前記半導体基板をウエット処理する第一の工程と、(a)フッ化水素酸またはその塩、および(b)酸化剤を含む第二の除去液により前記半導体基板をウエット処理する第二の工程と、を含むことを特徴とする除去方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/306 F , H01L 21/306 D

Fターム (8件)：

5F043AA26 , 5F043AA28 , 5F043AA37 , 5F043BB18 , 5F043BB19 , 5F043BB25 , 5F043BB27 , 5F043DD12

引用特許：

審査官引用 (7件)

強誘電体膜の損傷層を除去するための清浄液及びこれを利用した清浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-076596 出願人：三星電子株式会社
導電膜パターンの形成方法及び液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-213683 出願人：松下電器産業株式会社
多結晶シリコン
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-254115 出願人：ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

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