半導体式ガスセンサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-329291
公開番号（公開出願番号）：特開平9-166567
出願日： 1995年12月18日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】【課題】Si等の被毒物質、H2 S、SO2 等の被毒ガスに対する耐久性に優れた半導体式ガスセンサ及びその製造方法を提供するにある。【解決手段】感ガス体6の全体を覆うフィルタ層7は酸化錫(SnO2 )と、アルミナゾルを基本的なフィルタ材料として用い、被毒に対する耐久性を高め、また経時安定性、初期安定化時間の短縮等に対して優れた特性を示す。

請求項（抜粋）：

酸化錫半導体からなる感ガス体を覆うように酸化錫と、無定型アルミナ或いはベーマート或いはγ-アルミナ、又は無定型アルミナ、ベーマイト、γ-アルミナの内の少なくとも二つの混合物とからなるフィルタ層を形成したことを特徴とする半導体式ガスセンサ。

FI (3件)：

G01N 27/12 B , G01N 27/12 C , G01N 27/12 M

引用特許：

出願人引用 (4件)

ガスセンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-141434 出願人：フイガロ技研株式会社
特開平1-304350
特開昭56-119837

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審査官引用 (7件)

ガスセンサの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-141434 出願人：フイガロ技研株式会社
特開平1-304350
特開平1-304350

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