薄膜状半導体集積回路およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-285990
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135323
出願日： 1993年10月20日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】同一基板上に最適な特性を示す薄膜トランジスタ(TFT)を多数有する集積回路を提供する。【構成】絶縁表面上に、少なくともゲイト電極の側面に陽極酸化物を有する薄膜トランジスタ(TFT)を多数形成する。そして、それぞれのTFTにおいて必要とされる信頼性、特性に応じて前記陽極酸化物の厚さを変える。かくすることによって、同一基板上にそれぞれの目的にとって最適な特性、信頼性を示すTFTを多数形成した半導体集積回路を形成することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に、高抵抗領域の幅の異なる薄膜トランジスタを少なくとも2つ有し、かつ、少なくとも1つの薄膜トランジスタのソース/ドレイン領域と、他の薄膜トランジスタのゲイト電極もしくはゲイト電極と同一被膜によって形成された配線とが、層間絶縁物上に形成された金属配線によって接続されていることを特徴とする半導体集積回路

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-030220 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
液晶パネル表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-040602 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-362616

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