特許

J-GLOBAL ID：200903021203404800

Y型マグネトプラムバイト薄膜及びその製造方法並びにY型マグネトプラムバイト薄膜を使用した薄膜インダクタ

発明者： 鯉沼 秀臣 ,  川崎 雅司 ,  松本 祐司 ,  大久保 勇男
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 平山 一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266189
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075731
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 GHz帯域で透磁率が高いY型プラムバイト薄膜を提供する。【解決手段】 真空槽内で、所定のO2 圧力雰囲気中で、化学式:Ba2 Me2Fe12O22で表わされる化学量論組成比から成るターゲット12に対して、KrFエキシマレーザ13から所定のパルスレーザ光を所定の照射条件で照射することにより、上記Ba,Me(Me=Mg,Zn,Co,FeまたはNi),Fe及びOを蒸発させて、1000°C以上の基板温度に加熱したMgAl2 O4 (111)基板から成る単結晶基板11上に成膜して、Y型マグネトプラムバイト薄膜を製造する。

請求項（抜粋）：

化学式:Ba2 Me2 Fe12O22;Me=Mg,Zn,Co,Fe,Ni、で表わされる組成を有し、結晶構造がY型マグネトプラムバイト型結晶構造であって、かつ、単結晶基板上にエピタキシャル成長したY型マグネトプラムバイト薄膜。

IPC (5件)：

H01F 10/20 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01F 10/28 ,  H01F 17/00

FI (5件)：

H01F 10/20 ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/28 ,  H01F 10/28 ,  H01F 17/00 A

Fターム (24件)：

4K029AA04 ,  4K029BA50 ,  4K029BC06 ,  4K029BD00 ,  4K029CA02 ,  4K029DB05 ,  4K029DB14 ,  4K029DB20 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  5E049AB05 ,  5E049AB09 ,  5E049BA11 ,  5E049DB04 ,  5E049DB10 ,  5E049EB03 ,  5E049FC10 ,  5E049HC05 ,  5E070AA01 ,  5E070AB10 ,  5E070BA11 ,  5E070BB01 ,  5E070CB01 ,  5E070CB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 交換結合磁性材料を含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293062   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
• 特開平4-369204