特許
J-GLOBAL ID：200903021205907540

ノズルプレート及びその製造方法

発明者：
尹 相▲けおん▼

尹 相▲けおん▼ について


出願人/特許権者：
三星電機株式会社

三星電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-170682
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179987
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：
【要約】【課題】 シリコンウェーハを材料に使用し、シリコンプロセスを利用して直管部を有するノズルとクレータが形成されたノズルプレートを製造する方法及びその方法によって製造されたノズルプレートを提供する。【解決手段】 シリコンウェーハを提供する段階と、前記シリコンウェーハの下部に不純物成分をドーピングしたり、金属をメッキしたり、ポリシリコン層を形成したりして直管部層を形成する段階と、前記直管部層の下部に金属をメッキしてクレータ層を形成する段階と、前記シリコンウェーハをパターニングした後に異方性エッチングしてノズルの傾斜部を形成する段階と、前記直管部層を乾式エッチングして、前記直管部層にノズル出口部位の直管部を形成する段階と、前記クレータ層をパターニングした後にエッチングして、前記クレータ層にクレータを形成する段階とを含む。
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハを提供する段階と、前記シリコンウェーハの下部に不純物成分をドーピングして直管部層を形成する段階と、前記直管部層の下部に金属をメッキしてクレータ層を形成する段階と、前記シリコンウェーハをパターニングした後に異方性エッチングしてノズルの傾斜部を形成する段階と、前記直管部層を乾式エッチングして、前記直管部層にノズル出口部位の直管部を形成する段階と、前記クレータ層をパターニングした後にエッチングして、前記クレータ層にクレータを形成する段階とを含むノズルプレートの製造方法。
Fターム (12件)：
2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AP13 ,  2C057AP31 ,  2C057AP32 ,  2C057AP34 ,  2C057AP51 ,  2C057AP52 ,  2C057AP54 ,  2C057AP55 ,  2C057AP59 ,  2C057AP60
引用特許：
審査官引用 (9件)
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