特許

J-GLOBAL ID：200903021213523620

半導体装置およびその製造方法

発明者： 堤 聡明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-268729
公開番号（公開出願番号）：特開平9-172067
出願日： 1995年10月17日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 設計どおりの断面形状を備えたビアホールを有する多層配線構造とその製造方法を得る。【解決手段】 第1のアルミ配線3上にシリコン酸化膜4を介在させ、この表面を露出する開口部6を有するシリコン窒化膜5を備える。さらに、第2のアルミ配線用の配線溝10を有するシリコン酸化膜7を備える。配線用溝10と開口部6との帯状に延びる部分が互いに重なり合う領域に、第1のアルミ配線3に到達するビアホール11を備える。ビアホール11は、この領域を異方性エッチングすることにより自己整合的に形成されるので、精度よく形成することができる。この後、ビアホール11に埋込まれるプラグによって配線間の接続が良好に行なわれ、電気的特性に優れ信頼性の高い半導体装置を得ることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された多層配線を有する半導体装置であって、前記多層配線は、第1の導電層上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、前記第1の絶縁膜とはエッチング特性が異なり、前記第1の絶縁膜に到達する第1の開口部を有する第2の絶縁膜と、前記第1の開口部を含む前記第2の絶縁膜上に形成され、前記第2の絶縁膜とはエッチング特性が異なり、第2の開口部を有する第3の絶縁膜とを備え、前記第1の開口部は所定方向に延びるとともに、所定幅を有した帯状に延びる部分を備え、前記第2の開口部は所定方向に延びるとともに、前記第1の開口部の帯状に延びる部分と交差する所定幅を有した帯状に延びる部分を備え、さらに、前記第1の絶縁膜に、前記第1の開口部の帯状に延びる部分と前記第2の帯状に延びる部分との交差する領域によって断面形状が決定され、前記第1の導電層に到達する第3の開口部を備え、前記第2の開口部に、前記第3の開口部を埋める埋込導電部を含む第2の導電層を備えた、半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073604   出願人：シャープ株式会社
• 特開平3-198327
  
• 特開平4-302472
  
• 特開平3-108359