半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-073604
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283312
出願日： 1994年04月12日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】配線層を有する半導体装置において、表面が平坦であり、かつ微細化を実現することができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】少なくとも下層配線層、該下層配線層上に形成された層間絶縁膜及び前記下層配線層と接続を有し、前記層間絶縁膜の上表面とほぼ同一の平面をなす上表面を有する上層配線層からなり、前記層間絶縁膜は、少なくとも第1絶縁膜、該第1絶縁膜よりもエッチングレートの小さい第2絶縁膜及び第3絶縁膜から構成されており、前記第1及び第2絶縁膜には前記下層配線層と上層配線層とを接続するコンタクトホールが形成されており、前記第3絶縁膜には上層配線層が配置される配線パターン溝が形成され、前記コンタクトホールは、前記上層配線層の延設方向に直行する方向に幅広の平面形状を有し、前記コンタクトホールの幅が前記上部配線層の線幅と略等しい半導体装置。

請求項（抜粋）：

少なくとも下層配線層、該下層配線層上に形成された層間絶縁膜及び前記下層配線層と接続され、かつ前記層間絶縁膜の上表面とほぼ同一の平面をなす上表面を有する上層配線層からなり、前記層間絶縁膜は、少なくとも第1絶縁膜、該第1絶縁膜よりもエッチングレートの小さい第2絶縁膜及び第3絶縁膜から構成されており、前記第1及び第2絶縁膜には前記下層配線層と上層配線層とを接続するコンタクトホールが形成されており、前記第3絶縁膜には上層配線層が配置される配線パターン溝が形成され、前記コンタクトホールは、前記上層配線層の延設方向に直行する方向に幅広の平面形状を有し、かつ前記上部配線層の線幅と略等しい幅を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

集積回路用相互接続
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-168657 出願人：エスジーエス-トムソン・マイクロエレクトロニクス・インコーポレイテッド
特開平3-205829
特開平4-302472

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