特許
J-GLOBAL ID:200903021225234160
バンド間位相差ソリトンの発生方法と検出方法,及びバンド間位相差ソリトン回路
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (3件):
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-230366
公開番号(公開出願番号):特開2008-053597
出願日: 2006年08月28日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】バンド間位相差ソリトンを発生させたり検出する際にも簡素な構成でその目的を達成でき、またバンド間位相差ソリトン検出時にも電流の影響を受けないで済むようにするための方法及び回路を提供する。【解決手段】多バンド超伝導体線路10の一部の長さ部分を電流源12の発生する電流Ioが流れる閉回路の一部である閉回路線路部Rcとし、連続して伸びる線路部分を電流源12に関しては開回路となる開回路線路部Roとする。多バンド超伝導体線路10を臨界ソリトン温度以下の温度環境下におき、電流源12から閉回路線路部Rcに非平衡電流Ioを注入することでバンド間位相差ソリトンSoを発生させ、電流Ioとは分離した形で開回路線路部Roに送り出し、走行させる。開回路線路部Roにはジョセフソン接合15を設け、走行してきたバンド間位相差ソリトンSoをそこで消滅させ、その際に交流ジョセフソン効果により発生する電圧を電圧検出装置13で検出する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
多バンド超伝導体線路の一部の長さ部分を電流源の発生する電流が流れる閉回路の一部である閉回路線路部とする一方;
該多バンド超伝導体線路の上記閉回路線路部に連続して伸びる線路部分を上記電流源に関しては開回路となる開回路線路部とし;
該多バンド超伝導体線路を該多バンド超伝導体線路の超伝導臨界温度よりも低い臨界ソリトン温度以下の温度環境下におき、上記電流源から上記多バンド超伝導体線路の上記閉回路線路部に非平衡電流を注入することでバンド間位相差ソリトンを発生させ;
該発生させた該バンド間位相差ソリトンを上記電流とは分離した形で上記多バンド超伝導体線路の上記開回路線路部に送り出し、該開回路線路部を走行させること;
を特徴とするバンド間位相差ソリトンの発生方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (5件):
4M113AA43
, 4M113AA45
, 4M113AD36
, 4M113CA36
, 5J042AA01
引用特許:
引用文献:
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