特許
J-GLOBAL ID：200903021247375387

バイポーラトランジスタ

発明者：
高木 剛

高木 剛 について

, 
服藤 憲司

服藤 憲司 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154689
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354531
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 マイクロ波帯域などにおける電流増幅率,電流利得遮断周波数,最大発振周波数などの高周波特性が優れたバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 ヘテロバイポーラトランジスタのベース・エミッタ接合付近のSiエミッタ層5側に、キャリア濃度が局部的に高いδドープSi層10を設ける。これにより、実効的にバリア高さを増大させることにより、SiGeベース層4からSiエミッタ層5へのキャリアの逆注入を抑制する。その結果、ベースドーピング濃度をあげても、δドープSi層10によりキャリアの逆注入が抑制され、十分な電流増幅率βが得られるとともに、最大発振周波数fmax を向上できる。また、傾斜組成ベース化してエミッタ・ベース接合のバンド不連続値を小さくしても、高い最大発振周波数が得られる。
請求項（抜粋）：
第1導電型不純物が導入されたエミッタ層と、第2導電型不純物が導入されたベース層と、第1導電型不純物が導入されたコレクタ層とを有するバイポーラトランジスタにおいて、上記エミッタ層内の上記ベース層に近接した領域に設けられ、上記エミッタ層内よりも高濃度の第1導電型不純物がドープされた高濃度ドープ層を備えていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/165
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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