特許
J-GLOBAL ID：200903066121673440
化合物半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-099189
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293505
出願日： 1995年04月25日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、ヘテロ接合界面におけるキャリアの枯渇を低減し、積層方向の直列抵抗を低減する。【構成】 一導電型Alx Iny Ga1-x-y P層4とその上に設けたAsを含む一導電型III-V族化合物半導体層6との界面に、拡散係数の小さな一導電型の導電型決定不純物のプレーナドーピング層5を設ける。
請求項（抜粋）：
一導電型Alx Iny Ga1-x-y P層とその上に設けたAsを含む一導電型III-V族化合物半導体層との界面に、拡散係数の小さな一導電型の導電型決定不純物のプレーナドーピング層を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/72
, H01L 29/80 H
