特許

J-GLOBAL ID：200903021269301131

半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

発明者： 古川 千里 ,  中村 隆文
出願人/特許権者： 東芝ディスクリートテクノロジー株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-199042
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019262
出願日： 2005年07月07日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：

【課題】 製造工程が簡単で、マウント時の安定性がよく、光取出し効率を向上させることが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 特定の波長で発光可能なpn接合を有する発光層構成部20、発光層構成部20のp型の主面に接合され、へき開面からなる表面に凹凸が形成された長方形をなす相対向する傾斜面13a、13bと、へき開面からなる表面に凹凸が形成された長方形を含まない平行四辺形をなす相対向する垂直面11a及び対向面とを有し、発光波長に実質透明なp型GaP基板10、p型GaP基板10上に形成されたp側電極41、及び、発光層構成部20のn型の面に形成されたn側電極31を備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

特定の波長で発光可能なpn接合を有する発光層構成部と、 前記発光層構成部の第1導電型の主面に接合され、へき開面からなる表面に凹凸が形成さ れた長方形をなす相対向する2側面と、へき開面からなる表面に凹凸が形成された長方形 を含まない平行四辺形をなす相対向する2側面とを有し、前記波長に実質透明な前記第1 導電型の半導体基板と、 前記第1導電型の半導体基板上に形成された第1導電側電極と、 前記発光層構成部の第2導電型の面に形成された第2導電側電極と、 を備えていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (10件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-104114   出願人：株式会社東芝