特許
J-GLOBAL ID：200903070142725570

半導体発光素子およびその製造方法

発明者：
菅 原 秀 人

菅 原 秀 人 について

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渡 辺 幸 雄

渡 辺 幸 雄 について

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阿 部 洋 久

阿 部 洋 久 について

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紺 野 邦 明

紺 野 邦 明 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104114
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298108
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 輝度が高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 第1の面と、前記第1の面と対向し前記第1の面よりも小さい面積を有する第2の面と、を有するGaP基板の前記第1の面上に、前記GaP基板を透過する波長λの光を放射する発光層を形成する工程と、前記GaP基板に、前記第2の面に向けて狭まるよう互いにほぼ等しい角度で傾斜する複数の側面を形成する側面形成工程と、前記複数の側面に高さ0.1λ以上3λ以下の複数の凹凸を形成する凹凸形成工程と、を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。また、この製造方法によって得られる素子を提供する。
請求項（抜粋）：
GaP基板と、電流注入により前記GaP基板を透過する波長λの光を放射する発光層と、を備え、前記GaP基板が、前記発光層を設けた第1の面と、前記第1の面と対向し前記第1の面よりも小さい面積を有する第2の面と、前記第2の面に向けて狭まるように前記第2の面に対してほぼ等しい角度で傾斜し、前記発光層からの光の一部を外部に射出し、表面に複数の凹凸が形成された複数の側面と、を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (4件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 201 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 201 A ,  H01L 21/306 B
Fターム (33件)：
5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA24 ,  5F004EA34 ,  5F004EA38 ,  5F004EB08 ,  5F041AA03 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CB15 ,  5F043AA05 ,  5F043BB10 ,  5F043FF10 ,  5F045AA04 ,  5F045AB11 ,  5F045AC07 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA56
引用特許：
審査官引用 (31件)
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