特許
J-GLOBAL ID：200903021293406238

膜電極の作製方法

発明者：
デーブ,マーク ケー.

デーブ,マーク ケー. について

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ファム,サオ ヌゴック

ファム,サオ ヌゴック について

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スタインバッハ,アンドリュー ジェイ.

スタインバッハ,アンドリュー ジェイ. について


出願人/特許権者：
ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー

ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-516391
公開番号（公開出願番号）：特表2001-520446
出願日： 1998年09月04日
公開日（公表日）： 2001年10月30日
要約：
【要約】多孔質膜にイオン伝導性電解質を部分的に充填して部分充填膜を作製し、次に部分充填膜から空隙体積をなくし、部分充填膜に電極粒子を埋め込むように部分充填膜を電極粒子と圧縮することによる、多孔質膜およびイオン伝導性電解質の両方を含む複合膜を使用した膜電極の作製方法を提供する。本発明の膜電極は、プロトン交換膜燃料電池、電解槽、塩素アルカリ分離膜などを含む電気化学的装置への使用に適している。
請求項（抜粋）：
a)多孔質膜にイオン伝導性電解質を部分的に充填して部分充填膜を作製する工程と; b)前記部分充填膜から空隙体積をなくし、前記電極粒子を前記部分充填膜に埋め込むように前記部分充填膜と電極粒子を互いに圧縮する工程とを含む膜電極アセンブリの作製方法。
IPC (7件)：
H01M 4/88 ,  C25B 9/00 ,  C25B 11/04 ,  G01N 27/28 ,  G01N 27/28 331 ,  H01M 4/86 ,  H01M 8/10
FI (7件)：
H01M 4/88 C ,  C25B 11/04 A ,  G01N 27/28 Z ,  G01N 27/28 331 D ,  H01M 4/86 H ,  H01M 8/10 ,  C25B 9/00 E
Fターム (52件)：
4K011AA15 ,  4K011BA04 ,  4K011CA01 ,  4K011DA03 ,  4K021AA03 ,  4K021AB01 ,  4K021BA03 ,  4K021DB11 ,  4K021DB32 ,  4K021DB43 ,  5H018AA06 ,  5H018AS01 ,  5H018BB01 ,  5H018BB03 ,  5H018BB05 ,  5H018BB06 ,  5H018BB07 ,  5H018BB09 ,  5H018CC06 ,  5H018DD01 ,  5H018DD08 ,  5H018DD10 ,  5H018EE01 ,  5H018EE02 ,  5H018EE03 ,  5H018EE05 ,  5H018EE10 ,  5H018EE11 ,  5H018EE12 ,  5H018EE17 ,  5H018EE18 ,  5H018EE19 ,  5H018HH00 ,  5H018HH03 ,  5H026AA06 ,  5H026BB01 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026BB04 ,  5H026CX04 ,  5H026CX05 ,  5H026EE01 ,  5H026EE02 ,  5H026EE05 ,  5H026EE08 ,  5H026EE11 ,  5H026EE12 ,  5H026EE14 ,  5H026EE18 ,  5H026EE19 ,  5H026HH00 ,  5H026HH03
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 高分子固体電解質・電極接合体
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-303672   出願人：ジャパンゴアテックス株式会社
  • 特開昭62-196389
  • ナノ構造電極メンブレン
    公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-515191   出願人：ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
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