トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213764
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044439
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】液晶ディスプレイの低価格化を実現するために、薄膜トランジスタアレイの製造工程の低コスト化が要求されている。【解決手段】現在、一般に逆スタガ型薄膜トランジスタアレイを製造するためには、少なくとも5回のフォトリソグラフィー工程を必要としている。1回のフォトリソグラフィー工程で、レジストの膜厚を基板内で選択的に変化させることによりドレイン配線と画素電極の両方を形成するプロセス、及び基板内のアレイ周辺の端子部に絶縁膜や半導体膜が堆積しないように、アレイの周辺部をマスクで覆いながら行う成膜プロセスを用いることで、3回のフォトリソグラフィー工程でアレイの製造を可能にした。

請求項（抜粋）：

透明絶縁基板表面に形成されたゲート配線上にゲート絶縁膜を介して配置されているチャネル部と当該チャネル部のコンタクト部に接続されているドレイン電極及び画素電極とから構成されているトランジスタであって、当該画素電極は透明導電膜で構成されると共に当該ドレイン電極は、当該透明導電膜と金属膜の積層体で構成されている事を特徴とするトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365

FI (5件)：

H01L 29/78 616 J , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 D , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 616 T

Fターム (26件)：

2H092GA17 , 2H092GA25 , 2H092HA28 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092KA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA17 , 2H092MA18 , 2H092NA27 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HK16 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN55 , 5F110QQ05

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平2-044318
特開平4-167437
特開平4-217370

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審査官引用 (6件)

特開平2-044318
特開平2-044318
特開平1-272162

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