特許

J-GLOBAL ID：200903021319453230

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 武田 正樹
出願人/特許権者： 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-263424
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102592
出願日： 1997年09月29日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】不揮発性半導体記憶装置の寿命を特性より判断し、使用限度が近付いた場合には警報信号を出力する不揮発性半導体記憶措置を提供する。【解決手段】本発明の検出回路は、不揮発性で、且つ、電気的に書換えが可能な第1の半導体記憶素子と、第1の半導体記憶素子に対し選択的に書込み/読出しが可能な回路を有する第1の記憶手段と、前記第1の記憶素子と同様な工程で形成し第1の半導体記憶素子の劣化状況を検出するための第2の半導体記憶素子と、第2の半導体記憶素子に対し選択的に書込み/読出しが可能な回路を有する第2の記憶手段とを有する。第1の記憶素子の他に第2の記憶素子を設けてこの記憶素子のデータを比較することにより、第1の記憶素子に対する書込み回数を記憶させることなく、第1の記憶素子の寿命を判断し、警報信号を出す。

請求項（抜粋）：

電気的に書換えが可能な第1の半導体記憶素子と、前記第1の半導体記憶素子に対し選択的に書込み/読出しが可能な第1の記憶手段と、前記第1の記憶素子と同様な工程で形成し、前記第1の記憶素子の劣化状況を検出するための第2の半導体記憶素子と、前記第2の半導体記憶素子に対し選択的に書込み/読出しが可能な第2の記憶手段と、前記第2の半導体記憶素子に記憶されている値と前記第2の半導体記憶素子に記憶させる値とを比較するデータ比較手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 16/04 ,  G11C 16/02 ,  G11C 29/00 601

FI (4件)：

G11C 17/00 624 ,  G11C 29/00 601 D ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 612 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 電気的消去及び書込み可能ROM
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288826   出願人：富士通株式会社