特許
J-GLOBAL ID：200903021319790139
ポリスルフィドシランの脱硫方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-334919
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158281
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【解決手段】 下記一般式(1)(C<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>O)<SB>3</SB>Si(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>S<SB>p</SB>(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>Si(OC<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>)<SB>3</SB> (1)(式中、nは1〜3の整数、mは1〜9の整数を示し、pは硫黄原子の平均数を示し、p>2の正数である。)で示されるポリスルフィドシラン混合物に3価のリン化合物を反応させて、このポリスルフィドシラン中の高ポリスルフィド含量を低下させ、下記一般式(2)(C<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>O)<SB>3</SB>Si(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>S<SB>q</SB>(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>Si(OC<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>)<SB>3</SB> (2)(式中、n,mは上記と同様であり、qは硫黄原子の平均数を示し、q<pの正数である。)で示される高ポリスルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィドシラン混合物を得ることを特徴とするポリスルフィドシランの脱硫方法。【効果】 本発明によれば、高ポリスルフィドシラン含有量が少ないポリスルフィドシラン混合物を確実に得ることができる。
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)(C<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>O)<SB>3</SB>Si(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>S<SB>p</SB>(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>Si(OC<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>)<SB>3</SB> (1)(式中、nは1〜3の整数、mは1〜9の整数を示し、pは硫黄原子の平均数を示し、p>2の正数である。)で示されるポリスルフィドシラン混合物に3価のリン化合物を反応させて、このポリスルフィドシラン中の高ポリスルフィド含量を低下させ、下記一般式(2)(C<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>O)<SB>3</SB>Si(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>S<SB>q</SB>(CH<SB>2</SB>)<SB>m</SB>Si(OC<SB>n</SB>H<SB>2n+1</SB>)<SB>3</SB> (2)(式中、n,mは上記と同様であり、qは硫黄原子の平均数を示し、q<pの正数である。)で示される高ポリスルフィドシラン含有量の少ないポリスルフィドシラン混合物を得ることを特徴とするポリスルフィドシランの脱硫方法。
FI (2件)：
C07F 7/18 Q
, C07F 7/18 W
