特許
J-GLOBAL ID：200903021321280903
半導体装置の製造方法及びその研磨液
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061300
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086548
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 段差の無い埋め込み構造を高研磨速度で実現する。【解決手段】基板材料(特に酸化シリコン)2と、埋め込み材料(特にタングステン)5と、バリア膜材料(特に窒化チタン)4とに対する研磨速度が、それぞれ同程度(すなわち、研磨速度差が30%以内)である研磨剤を用いて埋め込み材料膜5及びバリア膜4を一括研磨する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に凹部を形成する凹部形成工程と、該凹部の内壁を覆うように前記基板の表面にバリア膜を形成するバリア膜形成工程と、前記凹部の内部を充填するように埋め込み膜を形成する埋め込み膜形成工程と、前記半導体基板の研磨工程を備え、該研磨工程が、前記半導体基板材料に対するよりも前記埋め込み膜材料に対する研磨速度が小なる第1の研磨液と前記半導体基板材料に対するよりも前記埋め込み膜材料に対する研磨速度が大なる第2の研磨液とを混合した第3の研磨液を用いて前記半導体基板を化学機械的に研磨してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304 621
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 621 D
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
3C058AA07
, 3C058CB01
, 3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA13
, 3C058DA17
