特許
J-GLOBAL ID：200903021328344567
ナノドット形成方法、ナノドットを備えるメモリ素子の製造方法、ナノドットを備えるチャージトラップ層及びこれを備えるメモリ素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-262228
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099982
出願日： 2008年10月08日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】ナノドット形成方法、ナノドットを備えるメモリ素子の製造方法、ナノドットを備えるチャージトラップ層及びこれを備えるメモリ素子を提供する。【解決手段】コアを形成する第1ステップと、コア表面をポリマーでコーティングする第2ステップと、ポリマーコーティングされたコアを熱処理してコア表面を覆うグラフェン層を形成する第3ステップと、を含むナノドット形成方法。第3ステップ以後に前記コアを除去してもよい。かかるコア表面をポリマーでコーティングする前にコア表面を黒鉛化触媒物質でコーティングしてもよい。また、かかるコアは、電荷トラップ及び黒鉛化触媒機能を持つ金属粒子を含むか、電荷トラップ機能を持つ金属粒子を含みうる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
コアを形成する第1ステップと、
前記コア表面をポリマーでコーティングする第2ステップと、
前記ポリマーコーティングされたコアを熱処理して前記コア表面を覆うグラフェン層を形成する第3ステップと、を含むナノドット形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/824
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
5F083EP17
, 5F083EP22
, 5F083JA02
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR33
, 5F101BA54
, 5F101BB02
, 5F101BD02
, 5F101BH16
