半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-278864
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093504
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】従来のパワーMOSFETでは、チャネル層端部にガードリングが必要であり、マスクの削減、製造工程の削減が図れなかった。【解決手段】本発明では、チャネル層端部にトレンチを設け、トレンチ内壁に絶縁膜を被覆してポリシリコンを埋設する。これによりガードリングを不要とし、チャネル層端部での空乏層の曲率を緩和して電界集中を抑制する。チャネル層端部のトレンチはセル部のトレンチの深さと同じかそれより深い方が電界集中の抑制に効果的であり、トレンチ形成時の開口幅を素子領域より広くすることによって同一のトレンチ形成工程で素子領域より深いトレンチを形成することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板上に設けられた逆導電型半導体層と、前記逆導電型半導体層に設けられた多数のトランジスタのセルと、前記逆導電型半導体層の端部で該逆導電型半導体層を貫通して設けられたトレンチと、前記トレンチに沿って設けられた絶縁膜と、前記トレンチに埋設された導電材料とを具備し、前記導電材料に電圧を印加することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 658G

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-180825 出願人：三洋電機株式会社

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