電子放出素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志村浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259045
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094084
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】できるだけマスク合わせの工程を省き、電子放出素子を容易に製造することができる方法を提供する。【構成】ガラス基板11上にITO層12,タンタル層13b,酸化タンタル層13a,アルミニウム冷陰極17を形成し、基板全面にレジストを塗布する。基板裏面側からの背面露光を行い現像すると、不透明な冷陰極17近傍のレジスト層18aだけが残る。基板全面に絶縁層19およびゲート電極層20を形成した後、レジスト層18aをリフトオフし、その上にのっている絶縁層19およびゲート電極層20を一緒に除去すれば、中央の冷陰極17を取り囲むようにゲート電極層20が配された電子放出素子が得られる。

請求項（抜粋）：

冷陰極と引出電極とを備え、引出電極によって冷陰極から電子を引き出してこれを放出させる電子放出素子の製造方法において、透明な絶縁性基板上に透明な導電膜を形成し、前記導電膜上に不透明な導電性の冷陰極を形成し、基板全面にレジスト層を形成し、前記絶縁性基板の下面側から光を照射する背面露光を行い、前記レジスト層のうちの露光部を除去して非露光部を残し、基板全面に絶縁層を形成し、この絶縁層上に導電層を形成し、前記レジスト層の非露光部を、その上方に形成された各層とともに除去し、残った導電層を引出電極とすることを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01J 9/02 , H01L 21/3065

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-190034
電界放出素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-276233 出願人：双葉電子工業株式会社
特開平3-071529

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