特許

J-GLOBAL ID：200903021397801066

半導体装置とその製造方法

発明者： 西川 英信 ,  田崎 学 ,  有末 一夫 ,  熊谷 浩一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206153
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070064
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】 必要強度を保持しながら、軽量化、小型化が可能で、且つ、量産性が良い半導体装置の提供。【構成】 半導体素子5の電極がある面を、電気的に接続された上面電極3と底面電極4とを有する絶縁基板から成る半導体キャリア1の上面電極3がある面側に、対向させて配置し、前記半導体素子5の電極6と前記半導体キャリア1の上面電極3とをフェースダウン方式で接合した半導体装置において、前記半導体キャリア1の絶縁基板が、その周縁が前記半導体素子5側に曲がって前記半導体素子5側に凹部を形成し、この凹部内に前記半導体素子5を収納している。

請求項（抜粋）：

半導体素子の電極がある面を、電気的に接続された上面電極と底面電極とを有する絶縁基板から成る半導体キャリアの前記上面電極がある面側に、対向させて配置し、前記半導体素子の電極と前記半導体キャリアの上面電極とをフェースダウン方式で接合した半導体装置において、前記半導体キャリアの4角の少なくとも1角が円弧状、又は、直線状に面取りされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/13

FI (2件)：

H01L 23/12 Z ,  H01L 23/12 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-053599   出願人：株式会社東芝
• 半導体パッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-060492   出願人：株式会社東芝