特許

J-GLOBAL ID：200903021398545616

高電子移動度トランジスタ

発明者： 舘野 泰範
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269481
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、高出力かつ高利得で高効率な動作を実現する高電子移動度トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】n型半導体層5aとノンドープ半導体層4aとからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおいて、n型半導体層5aはアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガリウムで形成され、ノンドープ半導体層4aは砒化アルミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタを提供する。

請求項（抜粋）：

n型半導体層とノンドープ半導体層とからなる超格子構造を有する電子供給層を備えた高電子移動度トランジスタにおいて、前記n型半導体層はアルミニウム混晶比が0.2 〜0.3 の砒化アルミニウムガリウムで形成され、前記ノンドープ半導体層は、砒化アルミニウムガリウムで形成されるとともに、該砒化アルミニウムガリウムのアルミニウム混晶比は直接遷移形から間接遷移形へ移行する臨界混晶比近傍とされたことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Fターム (19件)：

5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GL07 ,  5F102GL08 ,  5F102GL15 ,  5F102GM06 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR10 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-028273
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-185478   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-167475
  
• 特開平2-112239