半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：斎藤栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-183142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070272
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】本発明は低いしきい電圧を有するトランジスタにおいて、活性領域の不純物欠乏による漏洩電流を防止することのできるMOSトランジスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による低いしきい電圧を有する半導体装置は、所定の導電型の半導体基板と、基板上に形成されたフィールド絶縁膜と、フィールド絶縁膜によって前記基板内に定められた活性領域と、フィールド絶縁膜を囲むように基板内に形成された基板と同一の導電型の不純物領域と、基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上に形成されたゲートパターンとを含む。

請求項（抜粋）：

低いしきい電圧を持つ半導体装置において、所定の導電型の半導体基板と、前記基板上に形成されたフィールド絶縁膜と、前記フィールド絶縁膜によって前記基板内に定められた活性領域と、前記フィールド絶縁膜を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域と、前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上に形成されたゲートパターンとを含むことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 R , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開昭62-188372
特開平3-089555
特開平2-035778

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